NXP Semiconductors BC638126

底架

通孔

引脚数

3

Case/Package

TO-226-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Tape & Box (TB)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

830 mW

频率

100 MHz

极性

PNP

功率耗散

830 mW

集电极发射器电压(VCEO)

500 mV

最大集电极电流

1 A

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V