NXP Semiconductors BC850BW

引脚数

3

Case/Package

SOT-323

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFEMin

200

Number of Elements

1

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

200 mW

极性

NPN

功率耗散

200 mW

增益带宽积

100 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

100 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC