NXP Semiconductors BCV29

底架

表面贴装

引脚数

3

Case/Package

SOT-89

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

卷带

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

1.3 W

极性

NPN

功率耗散

1 W

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

1.5 V

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC