NXP Semiconductors BF199

引脚数

3

Case/Package

TO-92-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25 V

hFEMin

38

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

25 V

包装

Bulk

终端

通孔

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

500 mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500 mW

增益带宽积

550 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

25 V

最大集电极电流

25 mA

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅