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NXP Semiconductors BLF3G216
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BLF3G216
1964-BLF3G216
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Trans MOSFET P-CH 65V 2.3A 3-Pin CDIP
1最小包装量--
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BLF3G216详情
NXP Semiconductors BLF3G216重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Case/Package
SMD/SMT
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
26 V
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
650 mA
元素配置
Single
漏源电压 (Vdss)
65 V
连续放电电流(ID)
2.3 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
16 dB
漏源击穿电压
65 V
漏源电阻
2.07 Ω
无铅
无铅
BLF3G216拓展信息
NXP Semiconductors
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公司资质
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