NXP Semiconductors BLS6G2731S-120,112
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BLS6G2731S-120,112
1964-BLS6G2731S-120,112
晶体管 - 特殊用途
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Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin LDMOST Blister
1最小包装量--
BLS6G2731S-120,112详情
NXP Semiconductors BLS6G2731S-120,112重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Fall Time
6 ns
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
60 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
33 A
频率
3.1 GHz
元素配置
Single
输出功率
120 W
测试电流
100 mA
上升时间
20 ns
漏源电压 (Vdss)
60 V
连续放电电流(ID)
33 A
栅极至源极电压(Vgs)
13 V
增益
13.5 dB
漏源击穿电压
60 V
漏源电阻
135 mΩ
测试电压
32 V
无铅
无铅
BLS6G2731S-120,112拓展信息
NXP Semiconductors
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