NXP Semiconductors BST52
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BST52
1964-BST52
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243AA
1最小包装量--
BST52详情
NXP Semiconductors BST52重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Case/Package
SOT-89
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
1.3 W
极性
NPN
功率耗散
1.3 W
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
转换频率
200 MHz
达到SVHC
无SVHC
BST52拓展信息
NXP Semiconductors
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