NXP Semiconductors BST82
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BST82
1964-BST82
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Mosfet Transistor, N Channel, 190 Ma, 100 V, 10 Ohm, 5 V, 2 V
1最小包装量--
BST82详情
NXP Semiconductors BST82重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
830 mW
电压
60 V
元素配置
Single
电流
15 A
功率耗散
830 mW
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
190 mA
阈值电压
2 V
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
25 pF
漏源电阻
10 Ω
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
BST82拓展信息
NXP Semiconductors
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