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技术文档
型号
BU2527AF
品牌
NXP Semiconductors
utmel 编号
1964-BU2527AF
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
NPN isolated transistor, BU2527AF 12A
起订量
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BU2527AF详情
技术参数
PDF文档
NXP Semiconductors BU2527AF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
5 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
45 W
集电极发射器电压(VCEO)
800 V
最大集电极电流
12 A
发射极基极电压 (VEBO)
1.3 V
高度
21.5 mm
长度
15.3 mm
宽度
5.2 mm
技术文档: NXP Semiconductors BU2527AF.
BU2527AF拓展信息
公司资质
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