BUK856-400IZ
BUK856-400IZ

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP SEMICONDUCTORS BUK856-400IZ

  • 收藏
  • 对比

型号

BUK856-400IZ

utmel 编号

1786-BUK856-400IZ

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BUK856-400IZ datasheet pdf and Unclassified product details from NXP SEMICONDUCTORS stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
BUK856-400IZ
BUK856-400IZ NXP SEMICONDUCTORS

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BUK856-400IZ详情

NXP SEMICONDUCTORS BUK856-400IZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    电压箝位

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    汽车点火装置

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大耗散功率(Abs)

    125W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    20A

  • 关断时间-标准值(toff)

    13000 ns

  • 集电极-发射器电压-最大值

    500V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    12V

  • VCEsat-最大值

    2.2 V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    2V

  • 关断时间-最大值(toff)

    18000ns

  • 环境耗散-最大值

    125W

  • 最大下降时间 (tf)

    10000ns

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

0个相似型号

BUK856-400IZ拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS