NXP Semiconductors BYD17M.115
- 收藏
- 对比
BYD17M.115
1786-BYD17M.115
二极管 - 射频
--
大陆
立即发货

Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 3000ns 2-Pin MELF T/R
1最小包装量--
BYD17M.115详情
NXP Semiconductors BYD17M.115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
ECCN (US)
EAR99
Maximum DC Reverse Voltage (V)
1000
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
1000
Maximum Continuous Forward Current (A)
1.5
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
20
Peak Forward Voltage (V)
1.05@1A
Peak Reverse Current (uA)
1
Peak Reverse Recovery Time (ns)
3000(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
175
AEC Qualified
无
Standard Package Name
MELF
Supplier Package
MELF
Military
无
Mounting
表面贴装
Package Length
3.7(Max)
PCB changed
2
Lead Shape
No Lead
RoHS
Non-Compliant
Package Description
O-LELF-R2
Package Style
长式
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Min
-65 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
BYD17M,115
Package Shape
ROUND
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.8
Part Package Code
SOD
包装
卷带
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
类型
开关二极管
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.80
技术
AVALANCHE
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
IEC 134
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
配置
Single
元素配置
Single
二极管类型
接收电极
箱体转运
ISOLATED
正向电流
1.5 A
输出电流-最大值
0.6 A
反向恢复时间
3 µs
峰值反向电流
1 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
1 kV
Rep Pk反向电压-最大值
1000 V
峰值非恢复性浪涌电流
20 A
反向恢复时间-最大值
3 µs
直径
2.1(Max)
RoHS状态
是,有豁免
BYD17M.115拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP Semiconductors
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.








哦! 它是空的。