NXP Semiconductors BZT52H-C9V1
- 收藏
- 对比
BZT52H-C9V1
1964-BZT52H-C9V1
无类别的
--
大陆
立即发货

Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.375W, Silicon, Unidirectional
1最小包装量--
BZT52H-C9V1详情
NXP Semiconductors BZT52H-C9V1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
830 mW
阻抗
10 Ω
元素配置
Single
最大反向漏电电流
500 nA
测试电流
5 mA
齐纳电压
9.1 V
高度
1.2 mm
长度
2.7 mm
宽度
1.7 mm
BZT52H-C9V1拓展信息







哦! 它是空的。