BZT52H-C9V1
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NXP Semiconductors BZT52H-C9V1

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型号

BZT52H-C9V1

utmel 编号

1964-BZT52H-C9V1

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.375W, Silicon, Unidirectional

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BZT52H-C9V1 NXP Semiconductors Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.375W, Silicon, Unidirectional

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BZT52H-C9V1详情

NXP Semiconductors BZT52H-C9V1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    830 mW

  • 阻抗

    10 Ω

  • 元素配置

    Single

  • 最大反向漏电电流

    500 nA

  • 测试电流

    5 mA

  • 齐纳电压

    9.1 V

  • 高度

    1.2 mm

  • 长度

    2.7 mm

  • 宽度

    1.7 mm

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BZT52H-C9V1拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS