NXP Semiconductors MRF101AN
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MRF101AN
1964-MRF101AN
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Transistor, 1.8 to 250 MHz, 100 W CW, Typ gain in dB is 23 @ 50 MHz, TO-220-3L, LDMOS
1最小包装量--
MRF101AN详情
NXP Semiconductors MRF101AN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Compliant
Schedule B
8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-40 °C
通道数量
1
功率耗散
182 W
漏源电压 (Vdss)
133 V
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
漏源击穿电压
133 V
最大结点温度(Tj)
175 °C
高度
19.91 mm
MRF101AN拓展信息
NXP Semiconductors
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