NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1
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MRF6V2150NBR1
1964-MRF6V2150NBR1
晶体管 - 特殊用途
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RF Power Transistor, 10 to 450 MHz, 150 W, Typ Gain in dB is 25 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735
1最小包装量--
MRF6V2150NBR1详情
NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw, Surface Mount
质量
1.911098 g
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
110 V
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
频率
220 MHz
输出功率
150 W
无卤素
无卤素
测试电流
450 mA
漏源电压 (Vdss)
110 V
连续放电电流(ID)
2.5 mA
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
增益
25 dB
最高频率
450 MHz
最大输出功率
150 W
漏源击穿电压
110 V
测试电压
50 V
无铅
含铅
MRF6V2150NBR1拓展信息
NXP Semiconductors
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