MRF6V2150NBR1
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NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1

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型号

MRF6V2150NBR1

utmel 编号

1964-MRF6V2150NBR1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Transistor, 10 to 450 MHz, 150 W, Typ Gain in dB is 25 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735

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MRF6V2150NBR1
MRF6V2150NBR1 NXP Semiconductors RF Power Transistor, 10 to 450 MHz, 150 W, Typ Gain in dB is 25 @ 220 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735

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MRF6V2150NBR1详情

NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Screw, Surface Mount

  • 质量

    1.911098 g

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    110 V

  • 最高工作温度

    225 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 频率

    220 MHz

  • 输出功率

    150 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    450 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    110 V

  • 连续放电电流(ID)

    2.5 mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12 V

  • 增益

    25 dB

  • 最高频率

    450 MHz

  • 最大输出功率

    150 W

  • 漏源击穿电压

    110 V

  • 测试电压

    50 V

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1.

MRF6V2150NBR1拓展信息

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