NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5
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MRF6VP2600HR5
1964-MRF6VP2600HR5
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Transistor, 2 to 500 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 25 @ 225 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
1最小包装量--
MRF6VP2600HR5详情
NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Screw
质量
13.155199 g
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Voltage, Rating
110 V
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
频率
225 MHz
输出功率
600 W
测试电流
2.6 A
漏源电压 (Vdss)
110 V
连续放电电流(ID)
50 µA
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
最高频率
500 MHz
最大输出功率
125 W
测试电压
50 V
最小击穿电压
110 V
辐射硬化
无
MRF6VP2600HR5拓展信息
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