MRF6VP2600HR5
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NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5

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型号

MRF6VP2600HR5

utmel 编号

1964-MRF6VP2600HR5

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Transistor, 2 to 500 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 25 @ 225 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

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MRF6VP2600HR5 NXP Semiconductors RF Power Transistor, 2 to 500 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 25 @ 225 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

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MRF6VP2600HR5详情

NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Screw

  • 质量

    13.155199 g

  • Number of Elements

    2

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage, Rating

    110 V

  • 最高工作温度

    225 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 频率

    225 MHz

  • 输出功率

    600 W

  • 测试电流

    2.6 A

  • 漏源电压 (Vdss)

    110 V

  • 连续放电电流(ID)

    50 µA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10 V

  • 最高频率

    500 MHz

  • 最大输出功率

    125 W

  • 测试电压

    50 V

  • 最小击穿电压

    110 V

  • 辐射硬化

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技术文档: NXP Semiconductors MRF6VP2600HR5.

MRF6VP2600HR5拓展信息

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