MRFE6S9060NR1
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NXP Semiconductors MRFE6S9060NR1

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型号

MRFE6S9060NR1

utmel 编号

1964-MRFE6S9060NR1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

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MRFE6S9060NR1
MRFE6S9060NR1 NXP Semiconductors Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V

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MRFE6S9060NR1详情

NXP Semiconductors MRFE6S9060NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 质量

    529.540742 mg

  • Case/Package

    TO-270

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Schedule B

    8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080

  • Voltage, Rating

    66 V

  • 最高工作温度

    225 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 频率

    880 MHz

  • 元素配置

    Single

  • 输出功率

    14 W

  • 无卤素

    无卤素

  • 测试电流

    450 mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    66 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12 V

  • 增益

    21.1 dB

  • 最高频率

    1 GHz

  • 最大输出功率

    14 W

  • 漏源击穿电压

    66 V

  • 输入电容

    109 pF

  • 测试电压

    28 V

  • 最小击穿电压

    28 V

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors MRFE6S9060NR1.

MRFE6S9060NR1拓展信息

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