NXP Semiconductors MRFE6S9060NR1
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MRFE6S9060NR1
1964-MRFE6S9060NR1
晶体管 - 特殊用途
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Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
1最小包装量--
MRFE6S9060NR1详情
NXP Semiconductors MRFE6S9060NR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
质量
529.540742 mg
Case/Package
TO-270
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Schedule B
8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Voltage, Rating
66 V
最高工作温度
225 °C
最小工作温度
-65 °C
频率
880 MHz
元素配置
Single
输出功率
14 W
无卤素
无卤素
测试电流
450 mA
漏源电压 (Vdss)
66 V
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
增益
21.1 dB
最高频率
1 GHz
最大输出功率
14 W
漏源击穿电压
66 V
输入电容
109 pF
测试电压
28 V
最小击穿电压
28 V
达到SVHC
Unknown
无铅
无铅
MRFE6S9060NR1拓展信息
NXP Semiconductors
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