NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1
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MRFG35003N6AT1
1964-MRFG35003N6AT1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Transistor, 500 to 5000 MHz, W, Typ Gain in dB is 10 @ 3550 MHz, 6 to 6 V, GaAs, SOT1811
1最小包装量--
MRFG35003N6AT1详情
NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
280.00824 mg
RoHS
Compliant
Schedule B
8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Voltage, Rating
8 V
包装
卷带
最高工作温度
85 °C
频率
3.55 GHz
输出功率
450 mW
无卤素
无卤素
测试电流
180 mA
漏源电压 (Vdss)
8 V
连续放电电流(ID)
2.9 A
栅极至源极电压(Vgs)
-5 V
增益
10 dB
测试电压
6 V
辐射硬化
无
无铅
无铅
MRFG35003N6AT1拓展信息
NXP Semiconductors
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