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NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1
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MRFG35003N6AT1
1964-MRFG35003N6AT1
晶体管 - 特殊用途
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RF Power Transistor, 500 to 5000 MHz, W, Typ Gain in dB is 10 @ 3550 MHz, 6 to 6 V, GaAs, SOT1811
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MRFG35003N6AT1 NXP Semiconductors RF Power Transistor, 500 to 5000 MHz, W, Typ Gain in dB is 10 @ 3550 MHz, 6 to 6 V, GaAs, SOT1811
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技术文档: NXP Semiconductors MRFG35003N6AT1.
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