NXP Semiconductors PBR941,215

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

4.535924 g

Case/Package

TO-236-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Schedule B

8541210080

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

360 mW

频率

8 GHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

360 mW

增益带宽积

8 GHz

集电极发射器电压(VCEO)

10 V

最大集电极电流

50 mA

增益

15 dB

最高频率

8 GHz

转换频率

8 GHz

最大击穿电压

10 V

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

1.5 V

高度

1 mm

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅