NXP Semiconductors PBSS301PD
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PBSS301PD
1964-PBSS301PD
晶体管 - 特殊用途
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Trans Gp Bjt PNP 20V 4A, PBSS301PD
1最小包装量--
PBSS301PD详情
NXP Semiconductors PBSS301PD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
Case/Package
TSOP
Collector-Emitter Saturation Voltage
420 mV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2.5 W
极性
PNP
功率耗散
1.1 W
集电极发射器电压(VCEO)
20 V
最大集电极电流
4 A
最高频率
80 MHz
集电极基极电压(VCBO)
20 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
高度
1 mm
长度
3.1 mm
宽度
1.7 mm
PBSS301PD拓展信息
NXP Semiconductors
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