NXP Semiconductors PBSS4350Z
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PBSS4350Z
1964-PBSS4350Z
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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50 V low VCEsat NPN transistor / Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SC-73
1最小包装量--
PBSS4350Z详情
NXP Semiconductors PBSS4350Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
4
Case/Package
SOT-223
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
1.35 W
极性
NPN
功率耗散
1.35 W
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
达到SVHC
无SVHC
PBSS4350Z拓展信息
NXP Semiconductors
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