NXP Semiconductors PBSS5160T
- 收藏
- 对比
PBSS5160T
1964-PBSS5160T
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, 60 V, 220 Mhz, 270 Mw, 1 A, 350 Rohs Compliant: Yes
1最小包装量--
PBSS5160T详情
NXP Semiconductors PBSS5160T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
330 mV
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
270 mW
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
270 mW
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
1 A
最高频率
220 MHz
转换频率
220 MHz
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
PBSS5160T拓展信息
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors








哦! 它是空的。