NXP Semiconductors PBSS5250T
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PBSS5250T
1964-PBSS5250T
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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50 V, 2 A PNP LOW VCESAT (BISS) TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor
1最小包装量--
PBSS5250T详情
NXP Semiconductors PBSS5250T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
300 mW
极性
PNP
功率耗散
300 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
2 A
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
高度
1 mm
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
达到SVHC
无SVHC
PBSS5250T拓展信息
NXP Semiconductors
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