PBSS5250T
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NXP Semiconductors PBSS5250T

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型号

PBSS5250T

utmel 编号

1786-PBSS5250T

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

50 V, 2 A PNP LOW VCESAT (BISS) TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor

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PBSS5250T
PBSS5250T NXP Semiconductors 50 V, 2 A PNP LOW VCESAT (BISS) TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor

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PBSS5250T详情

NXP Semiconductors PBSS5250T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • Case/Package

    SOT-23

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300 mV

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    300 mW

  • 极性

    PNP

  • 功率耗散

    300 mW

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 最大集电极电流

    2 A

  • 最高频率

    100 MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 高度

    1 mm

  • 长度

    3 mm

  • 宽度

    1.4 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

0个相似型号

PBSS5250T拓展信息

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