NXP Semiconductors PBSS5330X
- 收藏
- 对比
PBSS5330X
1786-PBSS5330X
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

3000 Ma 30 V PNP Si Small Signal Transistor TO-243AA
1最小包装量--
PBSS5330X详情
NXP Semiconductors PBSS5330X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
Case/Package
SOT-89
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
320 mV
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
550 mW
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
550 mW
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
3 A
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
达到SVHC
无SVHC
PBSS5330X拓展信息
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors







哦! 它是空的。