NXP Semiconductors PBSS5350Z
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PBSS5350Z
1964-PBSS5350Z
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200
1最小包装量--
PBSS5350Z详情
NXP Semiconductors PBSS5350Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
4
Case/Package
SOT-223
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
hFEMin
200
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2 W
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1.35 W
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
3 A
最高频率
100 MHz
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
达到SVHC
无SVHC
PBSS5350Z拓展信息
NXP Semiconductors
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