NXP Semiconductors PBSS9110T
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PBSS9110T
1964-PBSS9110T
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, 100 V, 300 Mw, 1 A, 150
1最小包装量--
PBSS9110T详情
NXP Semiconductors PBSS9110T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100 V
hFEMin
125
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
300 mW
极性
PNP
功率耗散
300 mW
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
1 A
达到SVHC
无SVHC
PBSS9110T拓展信息
NXP Semiconductors
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