NXP Semiconductors PDTA114ET
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PDTA114ET
1964-PDTA114ET
晶体管 - 特殊用途
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
1最小包装量--
PDTA114ET详情
NXP Semiconductors PDTA114ET重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
电压
50 V
电流
100 mA
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
转换频率
180 MHz
达到SVHC
无SVHC
PDTA114ET拓展信息
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