NXP Semiconductors PDTA114EU
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PDTA114EU
1964-PDTA114EU
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Bipolar (Bjt) Single Transistor, Brt, Pnp, 50 V, 180 Mhz, 200 Mw, 100 Ma, 30
1最小包装量--
PDTA114EU详情
NXP Semiconductors PDTA114EU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Case/Package
SOT-323
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
hFEMin
30
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
200 mW
极性
PNP
功率耗散
200 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
100 A
转换频率
180 MHz
达到SVHC
无SVHC
PDTA114EU拓展信息
NXP Semiconductors
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