NXP Semiconductors PDTA123JT

底架

表面贴装

引脚数

3

Case/Package

SOT-23

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

hFEMin

100

RoHS

Compliant

包装

切割胶带

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

250 mW

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

180 MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-10 V

高度

1 mm

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

达到SVHC

无SVHC