NXP Semiconductors PDTA143ZT
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PDTA143ZT
1964-PDTA143ZT
晶体管 - 特殊用途
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Bipolar (Bjt) Single Transistor, Brt, Pnp, 50 V, 180 Mhz, 250 Mw, 100 Ma, 100
1最小包装量--
PDTA143ZT详情
NXP Semiconductors PDTA143ZT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Case/Package
SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-100 mV
hFEMin
100
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
极性
PNP
功率耗散
250 mW
集电极发射器电压(VCEO)
-50 V
最大集电极电流
-100 mA
转换频率
180 MHz
集电极基极电压(VCBO)
-50 V
发射极基极电压 (VEBO)
-5 V
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
高度
1.1 mm
达到SVHC
无SVHC
PDTA143ZT拓展信息
NXP Semiconductors
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