NXP Semiconductors PDTB123YT

底架

表面贴装

引脚数

3

Case/Package

SOT-23

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300 mV

hFEMin

70

RoHS

Compliant

包装

切割胶带

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

250 mW

集电极发射器电压(VCEO)

-50 V

最大集电极电流

500 mA

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

高度

1.1 mm

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

达到SVHC

无SVHC