NXP Semiconductors PDTD123YT

引脚数

3

Case/Package

SOT-23

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFEMin

70

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

切割胶带

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

NPN

功率耗散

250 mW

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

500 mA

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

环境温度范围高

150 °C

高度

1.1 mm

达到SVHC

无SVHC