NXP Semiconductors PEMB9

底架

表面贴装

引脚数

6

Case/Package

SOT-666

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-50 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

300 mW

极性

PNP

元素配置

Dual

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

180 MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-10 V

高度

600 µm

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

达到SVHC

无SVHC