NXP Semiconductors PESD3V3S2UT
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PESD3V3S2UT
1964-PESD3V3S2UT
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Trans Voltage Suppressor Diode, 330W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB
1最小包装量--
PESD3V3S2UT详情
NXP Semiconductors PESD3V3S2UT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Breakdown Voltage / V
5.2 V
Case/Package
SOT-23
Reverse Stand-off Voltage
3.3 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
207 pF
深度
1.4 mm
工作电源电压
3.3 V
工作电压
3.3 V
通道数量
2
泄漏电流
2 µA
元素配置
Dual
箝位电压
20 V
峰值脉冲电流
18 A
峰值脉冲功率
330 W
方向
单向
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
高度
1.1 mm
长度
3 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
PESD3V3S2UT拓展信息
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