PESD3V3S2UT
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NXP Semiconductors PESD3V3S2UT

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型号

PESD3V3S2UT

utmel 编号

1964-PESD3V3S2UT

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Trans Voltage Suppressor Diode, 330W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB

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PESD3V3S2UT
PESD3V3S2UT NXP Semiconductors Trans Voltage Suppressor Diode, 330W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB

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PESD3V3S2UT详情

NXP Semiconductors PESD3V3S2UT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 引脚数

    3

  • Breakdown Voltage / V

    5.2 V

  • Case/Package

    SOT-23

  • Reverse Stand-off Voltage

    3.3 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    切割胶带

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 电容量

    207 pF

  • 深度

    1.4 mm

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 工作电压

    3.3 V

  • 通道数量

    2

  • 泄漏电流

    2 µA

  • 元素配置

    Dual

  • 箝位电压

    20 V

  • 峰值脉冲电流

    18 A

  • 峰值脉冲功率

    330 W

  • 方向

    单向

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 环境温度范围高

    150 °C

  • 高度

    1.1 mm

  • 长度

    3 mm

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    无SVHC

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技术文档: NXP Semiconductors PESD3V3S2UT.

PESD3V3S2UT拓展信息

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