PESD3V3V1BCSF
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NXP Semiconductors PESD3V3V1BCSF

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型号

PESD3V3V1BCSF

utmel 编号

1964-PESD3V3V1BCSF

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TVS DIODE

起订量

1最小包装量--

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PESD3V3V1BCSF
PESD3V3V1BCSF NXP Semiconductors Description: TVS DIODE

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PESD3V3V1BCSF详情

NXP Semiconductors PESD3V3V1BCSF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Package Description

    DSN0603-2, 2 PIN

  • Date Of Intro

    2016-09-29

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    超低电容

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • Reach合规守则

    unknown

  • 参考标准

    IEC-60134; IEC-61000-4-2, 4-5

  • JESD-30代码

    R-PBCC-N2

  • 极性

    BIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • Rep Pk反向电压-最大值

    3.3 V

  • 击穿电压-最小值

    4.5 V

  • 击穿电压-最大值

    8 V

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技术文档: NXP Semiconductors PESD3V3V1BCSF.

PESD3V3V1BCSF拓展信息

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