NXP Semiconductors PESD5V0U2BT
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PESD5V0U2BT
1964-PESD5V0U2BT
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection diode
1最小包装量--
PESD5V0U2BT详情
NXP Semiconductors PESD5V0U2BT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Breakdown Voltage / V
7 V
Case/Package
SOT-23
Reverse Stand-off Voltage
5 V
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
2.9 pF
深度
1.4 mm
工作电源电压
5 V
工作电压
5 V
极性
双向
通道数量
2
泄漏电流
100 nA
元素配置
Dual
方向
双向
最大击穿电压
9.5 V
最大结点温度(Tj)
150 °C
环境温度范围高
150 °C
最小击穿电压
5.5 V
高度
1.1 mm
长度
3 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
PESD5V0U2BT拓展信息
NXP Semiconductors
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