NXP Semiconductors PHD36N03LT,118

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 1 month ago)

底架

表面贴装

引脚数

3

Case/Package

TO-252-3

Fall Time

19 ns

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

33 ns

包装

Tape & Reel (TR)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

57.6 W

元素配置

Single

功率耗散

57.6 W

接通延迟时间

6 ns

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

连续放电电流(ID)

43.4 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

30 V

输入电容

690 pF

漏源电阻

17 mΩ

最大rds

17 mΩ

辐射硬化

无