NXP Semiconductors PHD83N03LT
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PHD83N03LT
1964-PHD83N03LT
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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72A, 25V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
1最小包装量--
PHD83N03LT详情
NXP Semiconductors PHD83N03LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
TO-252
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
72 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.012 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240 A
DS 击穿电压-最小值
25 V
雪崩能量等级(Eas)
120 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PHD83N03LT拓展信息
NXP Semiconductors
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