NXP Semiconductors PHE13009

底架

通孔

引脚数

3

Case/Package

TO-220AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

hFEMin

8

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

700 V

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

80 W

额定电流

12 A

极性

NPN

元素配置

Single

集电极发射器电压(VCEO)

400 V

最大集电极电流

12 A

最高频率

60 Hz

集电极基极电压(VCBO)

700 V

发射极基极电压 (VEBO)

1.6 V

高度

15.8 mm

长度

10.3 mm

宽度

4.5 mm

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅