NXP Semiconductors PHKD3NQ10T

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

2

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Drain Current-Max (ID)

3 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.09 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

饱和电流

2