PHT11N06LT
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NXP Semiconductors PHT11N06LT

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型号

PHT11N06LT

utmel 编号

1786-PHT11N06LT

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 4.9 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-223, 4 PIN, FET General Purpose Power

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PHT11N06LT
PHT11N06LT NXP Semiconductors TRANSISTOR 4.9 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-223, 4 PIN, FET General Purpose Power

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PHT11N06LT详情

NXP Semiconductors PHT11N06LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-223

  • Package Description

    PLASTIC, SOT-223, 4 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    4.9 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    210 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    125 ns

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.04 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    19 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    60 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.8 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    150 pF

  • 环境耗散-最大值

    8.3 W

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技术文档: NXP Semiconductors PHT11N06LT.

PHT11N06LT拓展信息

2N5484
2N5484

NXP Semiconductors

BUK98150-55A/CUF
BUK98150-55A/CUF

NXP Semiconductors

PSMN1R0-40YLDX
PSMN1R0-40YLDX

NXP Semiconductors

PHKD3NQ10T
PHKD3NQ10T

NXP Semiconductors

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