NXP Semiconductors BSH205G2R
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BSH205G2R
1786-BSH205G2R
晶体管 - 特殊用途
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BSH205G2 - 20 V, P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
1最小包装量--
BSH205G2R详情
NXP Semiconductors BSH205G2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Transport packaging size/quantity
44*33*24/50
Glue
high-adhesion glue
Tape length
33 m
Type of integrated circuit
interface
Kind of integrated circuit
digital isolator
Data transfer rate
150Mbps
Mounting
SMD
Case
SOP8
Insulation voltage
3.75kV
Kind of channel
unidirectional
Gross weight
1 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
TO-236
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Manufacturer Package Code
SOT23
Drain Current-Max (ID)
2 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-40...125°C
ECCN 代码
EAR99
类型
Polyimide tape single-sided
颜色
yellow metallic
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Number of channels
2
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
Number of inputs
1/1
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.17 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
dismantling at a temperature of 260 - 300 °C without a trace
宽度
50 mm
器件厚度
0.05 mm
BSH205G2R拓展信息
NXP
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NXP Semiconductors
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