PHT6N06LT
PHT6N06LT

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP Semiconductors PHT6N06LT

  • 收藏
  • 对比

型号

PHT6N06LT

utmel 编号

1786-PHT6N06LT

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 2.5 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-223, 4 PIN, FET General Purpose Power

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PHT6N06LT
PHT6N06LT NXP Semiconductors TRANSISTOR 2.5 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-223, 4 PIN, FET General Purpose Power

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PHT6N06LT详情

NXP Semiconductors PHT6N06LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    1812

  • Case - mm

    4532

  • Capacitors series

    KAM

  • Gross weight

    0.028 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    NXP SEMICONDUCTORS

  • Part Package Code

    SOT-223

  • Package Description

    PLASTIC, SOT-223, 4 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    2.5 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    76 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    77 ns

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±20%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 电容量

    1µF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G4

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    X7R

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.15 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    10 A

  • DS 击穿电压-最小值

    55 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    15 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    1.8 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    50 pF

  • 环境耗散-最大值

    8.3 W

  • 饱和电流

    1

  • Operating voltage

    50V

0个相似型号

技术文档: NXP Semiconductors PHT6N06LT.

PHT6N06LT拓展信息

PMBFJ210
PMBFJ210

NXP Semiconductors

PMBFJ177
PMBFJ177

NXP Semiconductors

PMZB600UNEL
PMZB600UNEL

NXP Semiconductors

PMPB13XNE
PMPB13XNE

NXP Semiconductors

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z