NXP Semiconductors PHT6N06LT
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PHT6N06LT
1786-PHT6N06LT
晶体管 - 特殊用途
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TRANSISTOR 2.5 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SOT-223, 4 PIN, FET General Purpose Power
1最小包装量--
PHT6N06LT详情
NXP Semiconductors PHT6N06LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1812
Case - mm
4532
Capacitors series
KAM
Gross weight
0.028 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
SOT-223
Package Description
PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
76 ns
Turn-on Time-Max (ton)
77 ns
Operating temperature
-55...125°C
容差
±20%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
电容量
1µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
15 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8 W
反馈上限-最大值 (Crss)
50 pF
环境耗散-最大值
8.3 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
PHT6N06LT拓展信息
NXP
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NXP Semiconductors
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