NXP Semiconductors PHU2N50E
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PHU2N50E
1964-PHU2N50E
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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TRANSISTOR 2 A, 500 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, PLASTIC, IPAK-3, FET General Purpose Power
1最小包装量--
PHU2N50E详情
NXP Semiconductors PHU2N50E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Package Code
TO-251
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Drain Current-Max (ID)
2 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
82 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PHU2N50E拓展信息
NXP Semiconductors
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