NXP Semiconductors PMBT5550

底架

表面贴装

引脚数

3

Case/Package

SOT-23

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

NPN

元素配置

Single

集电极发射器电压(VCEO)

140 V

最大集电极电流

300 mA

最高频率

100 MHz

转换频率

300 MHz

集电极基极电压(VCBO)

160 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

高度

1 mm

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

达到SVHC

无SVHC