NXP Semiconductors PMBTA63
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PMBTA63
1964-PMBTA63
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Description: TRANSISTOR 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
1最小包装量--
PMBTA63详情
NXP Semiconductors PMBTA63重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
125 MHz
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
10000
VCEsat-最大值
1.5 V
PMBTA63拓展信息










哦! 它是空的。