NXP Semiconductors PZTA45
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PZTA45
1964-PZTA45
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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TRANSISTOR 0.3 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
1最小包装量--
PZTA45详情
NXP Semiconductors PZTA45重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.3 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
350 V
VCEsat-最大值
0.75 V
集电极-基极电容-最大值
7 pF
PZTA45拓展信息










哦! 它是空的。