NXP Semiconductors PMDXB600UNE

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6

Drain Current-Max (ID)

0.6 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

2

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-N6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.62 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR